N-kanals transistor SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

N-kanals transistor SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.74kr
5-49
19.62kr
50-99
17.51kr
100+
15.40kr
Antal i lager: 89

N-kanals transistor SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0075 Ohms. Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. C(tum): 985pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: "Högsidesbrytare". G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Kostnad): 205pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 196k Ohms. Pd (effektförlust, max): 29.8W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 14 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
SIR474DP
30 parametrar
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
15A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.0075 Ohms
Hölje
PowerPAK SO-8
Hölje (enligt datablad)
PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
diod
C(tum)
985pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
"Högsidesbrytare"
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
N
Kostnad)
205pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
196k Ohms
Pd (effektförlust, max)
29.8W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
19 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET
Trr-diod (Min.)
14 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay