N-kanals transistor SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V

N-kanals transistor SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.50kr
5-24
11.98kr
25-49
10.82kr
50+
9.66kr
Antal i lager: 317

N-kanals transistor SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 0.0074 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: nej. C(tum): 2000pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: ja. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: N. Kostnad): 260pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 25 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
SI4840BDY
29 parametrar
ID (T=100°C)
9.9A
ID (T=25°C)
12.4A
Idss (max)
5uA
Resistans Rds På
0.0074 Ohms
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
nej
C(tum)
2000pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
ja
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
N
Kostnad)
260pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
25 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diod (Min.)
30 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay