N-kanals transistor SI4480EY, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 20uA. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Power MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40Ap. Kanaltyp: N. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 3W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 52 ns. Td(på): 12.5 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30