N-kanals transistor SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 17m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 12V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. C(tum): 12350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Power MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 70A. Kanaltyp: N. Kostnad): 2775pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 7.8W. Port-/källspänning Vgs: 8V. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(av): 240 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diod (Min.): 84 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30