N-kanals transistor SGP10N60A, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V

N-kanals transistor SGP10N60A, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
49.07kr
5-24
44.51kr
25-49
40.54kr
50+
36.27kr
Antal i lager: 310

N-kanals transistor SGP10N60A, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 550pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Motorkontroller, Inverter. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 40A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 20A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 62pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: G10N60A. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Pd (effektförlust, max): 92W. RoHS: ja. Td(av): 178 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40

Teknisk dokumentation (PDF)
SGP10N60A
29 parametrar
Ic(T=100°C)
10.6A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AC
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
550pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Motorkontroller, Inverter
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
40A
Kanaltyp
N
Kollektorström
20A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
62pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.4V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
G10N60A
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.7V
Pd (effektförlust, max)
92W
RoHS
ja
Td(av)
178 ns
Td(på)
28 ns
Teknik
Snabb IGBT i NPT-teknik
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies