N-kanals transistor SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1970pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: High Speed ​​​​IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 90A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 48A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 310pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: G30N60RUFD. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Td(av): 54 ns. Td(på): 30 ns. Trr-diod (Min.): 50 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40