N-kanals transistor RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

N-kanals transistor RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
8.73kr
5-49
6.93kr
50-99
5.77kr
100+
4.92kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 960

N-kanals transistor RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. Idss (max): 115mA. Resistans Rds På: 7.5 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 25pF. Driftstemperatur: -...+150°C. Funktion: Gränssnitt och omkoppling. G-S Skydd: ja. Id(imp): 0.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 10pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: RKM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 20 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Silicon N-channel MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: ROHM. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
RK7002
27 parametrar
ID (T=25°C)
115mA
Idss (max)
115mA
Resistans Rds På
7.5 Ohms
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
25pF
Driftstemperatur
-...+150°C
Funktion
Gränssnitt och omkoppling
G-S Skydd
ja
Id(imp)
0.8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
10pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
RKM
Pd (effektförlust, max)
0.2W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
20 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
Silicon N-channel MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
ROHM

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för RK7002