N-kanals transistor RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 360V. Antal terminaler: 3. C(tum): 85pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Ic(puls): 250A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 30A. Kostnad): 40pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(av): 90 ns. Td(på): 40 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Renesas Technology. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 10:40