N-kanals transistor RJH3047DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
192.76kr
5-9
181.36kr
10-24
167.33kr
25+
153.79kr
| Antal i lager: 13 |
N-kanals transistor RJH3047DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 330V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Ic(puls): 250A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 35A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.1us. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Trr-diod (Min.): 23 ns. Originalprodukt från tillverkaren: Renesas Technology. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35
RJH3047DPK
22 parametrar
Hölje
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hölje (enligt datablad)
TO-3PSG
Kollektor-/emitterspänning Vceo
330V
Antal terminaler
3
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
2.5V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
30 v
Ic(puls)
250A
Kanaltyp
N
Kollektorström
35A
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.6V
Pd (effektförlust, max)
60W
RoHS
ja
Spec info
trr 0.1us
Td(av)
60 ns
Td(på)
20 ns
Trr-diod (Min.)
23 ns
Originalprodukt från tillverkaren
Renesas Technology