N-kanals transistor RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 900pF. Driftstemperatur: -55...+155°C. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 30A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 325pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: F12N10L. Pd (effektförlust, max): 60W. Port-/källspänning Vgs: 10V. RoHS: ja. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(av): 100 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30