N-kanals transistor RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (max): 12A. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: diod. C(tum): 850pF. Funktion: logisk nivåkontroll, ESD-skydd. G-S Skydd: diod. Kanaltyp: N. Kostnad): 170pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: F3055L. Pd (effektförlust, max): 48W. RoHS: ja. Td(av): 25 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Harris. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30