N-kanals transistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

N-kanals transistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
44.74kr
5-24
39.59kr
25-49
33.42kr
50+
30.01kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

N-kanals transistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 30 milliOhms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 4720pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 456pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 250W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Td(av): 79 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge. Trr-diod (Min.): 118 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
PSMN035-150P
32 parametrar
ID (T=100°C)
36A
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
30 milliOhms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB ( SOT78 )
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
4720pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
200A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
456pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
250W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(av)
79 ns
Td(på)
25 ns
Teknik
Fälteffekttransistor i förbättringsläge
Trr-diod (Min.)
118 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors