N-kanals transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

N-kanals transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
26.42kr
5-9
23.76kr
10-24
21.88kr
25-49
20.27kr
50+
18.01kr
Antal i lager: 54

N-kanals transistor PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 13.9m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK (SOT404). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 3195pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: standardväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.06uA. Id(imp): 272A. Kanaltyp: N. Kostnad): 221pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 170W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 52.5 ns. Td(på): 20.7 ns. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

PSMN013-100BS-118
28 parametrar
ID (T=100°C)
47A
ID (T=25°C)
68A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
13.9m Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK (SOT404)
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
3195pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
standardväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.06uA
Id(imp)
272A
Kanaltyp
N
Kostnad)
221pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
170W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
52.5 ns
Td(på)
20.7 ns
Trr-diod (Min.)
52 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors