N-kanals transistor PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V

N-kanals transistor PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.24kr
5-49
25.42kr
50-99
21.32kr
100+
19.27kr
Antal i lager: 48

N-kanals transistor PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Spänning Vds(max): 25V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 920pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. G-S Skydd: nej. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kostnad): 260pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 86W. Port-/källspänning Vgs: 15V. RoHS: ja. Td(av): 78 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: TrenchMOS transistor. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
PHB45N03LT
30 parametrar
ID (T=100°C)
30A
ID (T=25°C)
45A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.016 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-404
Spänning Vds(max)
25V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
920pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll
G-S Skydd
nej
IDss (min)
0.05uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Kostnad)
260pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
86W
Port-/källspänning Vgs
15V
RoHS
ja
Td(av)
78 ns
Td(på)
6 ns
Teknik
TrenchMOS transistor
Trr-diod (Min.)
52 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors