N-kanals transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
21.49kr
5-24
17.76kr
25-49
14.99kr
50+
13.27kr
| Antal i lager: 779 |
N-kanals transistor P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: nej. C(tum): 790pF. Funktion: Förbättring av logisk nivå. G-S Skydd: nej. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kostnad): 175pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Td(av): 11.8 ns. Td(på): 2.2 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Niko-semi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30
P2804BDG
25 parametrar
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
10A
Idss
1uA
Idss (max)
10A
Resistans Rds På
0.03 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( D-PAK )
Spänning Vds(max)
40V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
nej
C(tum)
790pF
Funktion
Förbättring av logisk nivå
G-S Skydd
nej
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Kostnad)
175pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
32W
RoHS
ja
Td(av)
11.8 ns
Td(på)
2.2 ns
Teknik
Fälteffekttransistor
Trr-diod (Min.)
15.5 ns
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Niko-semi