N-kanals transistor NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V

N-kanals transistor NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
42.93kr
5-24
38.76kr
25-49
35.76kr
50+
33.58kr
Antal i lager: 38

N-kanals transistor NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 4.1m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): MP-25ZP. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: diod. C(tum): 6400pF. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 328A. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 900. Kostnad): 465pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 82N055. Pd (effektförlust, max): 142W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: MOSFET transistor. Td(av): 72 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET transistor. Temperatur: +175°C. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Renesas Technology. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 22:29

Teknisk dokumentation (PDF)
NP82N055PUG
33 parametrar
ID (T=25°C)
82A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
4.1m Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
MP-25ZP
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
diod
C(tum)
6400pF
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
328A
Kanaltyp
N
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
900
Kostnad)
465pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
82N055
Pd (effektförlust, max)
142W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
MOSFET transistor
Td(av)
72 ns
Td(på)
40 ns
Teknik
MOSFET transistor
Temperatur
+175°C
Trr-diod (Min.)
42 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Renesas Technology