N-kanals transistor MTW45N10E, TO-247AE, 100V
Kvantitet
Enhetspris
1+
48.56kr
| Antal i lager: 34 |
N-kanals transistor MTW45N10E, TO-247AE, 100V. Hölje: TO-247AE. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 45A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. RoHS: nej. Tillverkarens märkning: MTW45N10E. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:37
MTW45N10E
16 parametrar
Hölje
TO-247AE
Drain-source spänning Uds [V]
100V
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
170 ns
Ciss Gate Kapacitans [pF]
5000pF
Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C
45A
Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.027 Ohms @ 22.5A
Gate haverispänning Ugs [V]
4 v
Inkopplingstid ton [nsec.]
50 ns
Komponentfamilj
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
180W
RoHS
nej
Tillverkarens märkning
MTW45N10E
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi