N-kanals transistor MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

N-kanals transistor MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.91kr
5-24
13.98kr
25-49
12.02kr
50+
11.12kr
Antal i lager: 16

N-kanals transistor MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 410pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 45A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 114pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 48W. Port-/källspänning Vgs: 15V. RoHS: ja. Spec info: Logisk nivå grindad transistor. Td(av): 14 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor. Trr-diod (Min.): 55.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
MTP3055VL
33 parametrar
ID (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
0.10 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
410pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsomkoppling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
45A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
114pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
48W
Port-/källspänning Vgs
15V
RoHS
ja
Spec info
Logisk nivå grindad transistor
Td(av)
14 ns
Td(på)
9 ns
Teknik
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Trr-diod (Min.)
55.7 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor