N-kanals transistor MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanals transistor MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
53.90kr
5-9
48.30kr
10-24
44.65kr
25-49
42.13kr
50+
38.21kr
Antal i lager: 34

N-kanals transistor MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 890pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: PFC-strömförsörjningssteg, switchade applikationer, motorstyrning, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kostnad): 670pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 60R360P. Pd (effektförlust, max): 31W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 80 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: N-channel POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 375 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Magnachip Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37

Teknisk dokumentation (PDF)
MMF60R360PTH
30 parametrar
ID (T=100°C)
6.95A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
0.32 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
890pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
PFC-strömförsörjningssteg, switchade applikationer, motorstyrning, DC/DC-omvandlare
G-S Skydd
nej
Id(imp)
33A
Kanaltyp
N
Kostnad)
670pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
60R360P
Pd (effektförlust, max)
31W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
80 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
N-channel POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
375 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Magnachip Semiconductor