N-kanals transistor MMBFJ310LT1G, SOT-23, 25V, 60mA

N-kanals transistor MMBFJ310LT1G, SOT-23, 25V, 60mA

Kvantitet
Enhetspris
1-99
6.60kr
100-499
4.63kr
500-999
3.47kr
1000+
3.36kr
Antal i lager: 4714

N-kanals transistor MMBFJ310LT1G, SOT-23, 25V, 60mA. Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Antal terminaler: 3. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 6T. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:06

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBFJ310LT1G
12 parametrar
Hölje
SOT-23
Drain-source spänning Uds [V]
25V
Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V
60mA
Antal terminaler
3
Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V
-2V @ +10V
Komponentfamilj
N-kanals JFET-transistor
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.225W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
6T
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi