N-kanals transistor MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA

N-kanals transistor MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA

Kvantitet
Enhetspris
1-99
6.01kr
100-499
3.60kr
500-999
2.81kr
1000+
2.70kr
Antal i lager: 2410

N-kanals transistor MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA. Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Antal terminaler: 3. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 6K. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 15/02/2026, 12:52

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBF4392LT1G
12 parametrar
Hölje
SOT-23
Drain-source spänning Uds [V]
30 v
Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V
25mA
Antal terminaler
3
Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V
-2V @ +15V
Komponentfamilj
N-kanals JFET-transistor
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.225W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
6K
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi