N-kanals transistor MDF9N60TH, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V

N-kanals transistor MDF9N60TH, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
39.75kr
5-9
38.14kr
10-24
35.12kr
25-49
32.09kr
50+
26.32kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 6

N-kanals transistor MDF9N60TH, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1160pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kostnad): 134pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: MDF9N60. Pd (effektförlust, max): 48W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(av): 48 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Trr-diod (Min.): 360ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Magnachip Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

MDF9N60TH
31 parametrar
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
1uA
Resistans Rds På
0.65 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO220F
Spänning Vds(max)
600V
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1160pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
SMPS, höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
32A
Kanaltyp
N
Kostnad)
134pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
MDF9N60
Pd (effektförlust, max)
48W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Ultra Low Gate Charge
Td(av)
48 ns
Td(på)
31 ns
Teknik
Cool Mos POWER transistor
Trr-diod (Min.)
360ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Magnachip Semiconductor

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för MDF9N60TH