N-kanals transistor MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-kanals transistor MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
24.49kr
5-24
20.24kr
25-49
18.06kr
50+
16.87kr
Antal i lager: 47

N-kanals transistor MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 780pF. Driftstemperatur: +55...+150°C. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 28nC, låg Crss 24pF. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kostnad): 100pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 38W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 272 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Magnachip Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
MDF9N50TH
30 parametrar
ID (T=100°C)
5.5A
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
9A
Resistans Rds På
0.72 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
780pF
Driftstemperatur
+55...+150°C
Funktion
Snabb omkopplare, låg grindladdning 28nC, låg Crss 24pF
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kostnad)
100pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
38W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
38 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
DMOS, QFET
Trr-diod (Min.)
272 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Magnachip Semiconductor