N-kanals transistor MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Spänning Vds(max): 650V. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1650pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kostnad): 180pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 49.6W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(av): 132 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Trr-diod (Min.): 355 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Magnachip Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30