N-kanals transistor J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.30kr
5-24
4.44kr
25-49
3.90kr
50-99
3.45kr
100+
2.73kr
| +75 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 300 |
N-kanals transistor J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Hölje: TO-92. Idss (max): 5mA. Hölje (enligt datablad): TO-92 Ammo-Pak. Spänning Vds(max): 35V. Antal per fodral: 1. C(tum): 28pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringsström: 5mA. Effekt: 350mW. Funktion: Up 4.5V. Förpackning: -. Grind/källa spänning (av) max.: 5V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V. Grindspänning: -35V. IGF: 50mA. Kanaltyp: N. Kostnad): 5pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 50 Ohms. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Trippström: 50mA. Typ av transistor: N-JFET. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11
J112
24 parametrar
Hölje
TO-92
Idss (max)
5mA
Hölje (enligt datablad)
TO-92 Ammo-Pak
Spänning Vds(max)
35V
Antal per fodral
1
C(tum)
28pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Dräneringsström
5mA
Effekt
350mW
Funktion
Up 4.5V
Grind/källa spänning (av) max.
5V
Grind/källa spänning (av) min.
1V
Grindspänning
-35V
IGF
50mA
Kanaltyp
N
Kostnad)
5pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Motstånd mot tillstånd
50 Ohms
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Trippström
50mA
Typ av transistor
N-JFET
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild