N-kanals transistor J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
3.65kr
5-49
3.06kr
50-99
2.66kr
100-199
2.42kr
200+
2.07kr
| +1124 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 197 |
N-kanals transistor J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V. Hölje: TO-92. Resistans Rds På: 8 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 25V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: nej. C(tum): 160pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning (av) max.: 4.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.5V. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Kanaltyp: N. Kostnad): 35pF. Max dräneringsström: 0.1A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 350mW. Port-/källspänning Vgs: 0.7V. RoHS: ja. Td(av): 5 ns. Td(på): 6 ns. Typ av transistor: JFET. Originalprodukt från tillverkaren: Siliconix. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11
J107
25 parametrar
Hölje
TO-92
Resistans Rds På
8 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Spänning Vds(max)
25V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
nej
C(tum)
160pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning (av) max.
4.5V
Grind/källa spänning (av) min.
0.5V
IDss (min)
100mA
IGF
50mA
Kanaltyp
N
Kostnad)
35pF
Max dräneringsström
0.1A
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
350mW
Port-/källspänning Vgs
0.7V
RoHS
ja
Td(av)
5 ns
Td(på)
6 ns
Typ av transistor
JFET
Originalprodukt från tillverkaren
Siliconix