N-kanals transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

N-kanals transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
124.24kr
5-9
108.03kr
10-24
96.46kr
25-49
86.90kr
50+
71.84kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 26

N-kanals transistor IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 150uA. Resistans Rds På: 92 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 300V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4000pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 130A. Kanaltyp: N. Kostnad): 420pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 97 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTP50N25T
29 parametrar
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
150uA
Resistans Rds På
92 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
300V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4000pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
130A
Kanaltyp
N
Kostnad)
420pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
300W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
97 ns
Td(på)
24 ns
Teknik
PolarHT Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
250 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IXTP50N25T