N-kanals transistor IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V

N-kanals transistor IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
145.10kr
5-9
134.35kr
10-19
126.40kr
20+
118.46kr
Antal i lager: 5

N-kanals transistor IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 24m Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 4800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 225A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1020pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 600W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 75 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: PolarHT Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 160 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTH96N20P
29 parametrar
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
96A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
24m Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
4800pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
225A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1020pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
600W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
75 ns
Td(på)
28 ns
Teknik
PolarHT Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
160 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS