N-kanals transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

N-kanals transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
139.28kr
5-9
135.47kr
10-24
132.05kr
25+
128.54kr
Antal i lager: 36

N-kanals transistor IXGR60N60C3D1, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2113pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: IGBT med ultrasnabb mjuk återställningsdiod. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 260A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 75A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 197pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Obs: isolering 2500V (50/60Hz RMS, t=1 minut). Pd (effektförlust, max): 268W. RoHS: ja. Td(av): 127 ns. Td(på): 43 ns. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

IXGR60N60C3D1
28 parametrar
Ic(T=100°C)
30A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
2113pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
IGBT med ultrasnabb mjuk återställningsdiod
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
4 v
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6.5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
260A
Kanaltyp
N
Kollektorström
75A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
197pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1.9V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.6V
Obs
isolering 2500V (50/60Hz RMS, t=1 minut)
Pd (effektförlust, max)
268W
RoHS
ja
Td(av)
127 ns
Td(på)
43 ns
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS