N-kanals transistor IXGR60N60C2, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

N-kanals transistor IXGR60N60C2, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
165.71kr
5-9
156.33kr
10-24
136.16kr
25+
124.39kr
Antal i lager: 46

N-kanals transistor IXGR60N60C2, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 3900pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 300A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 75A. Kostnad): 280pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Obs: HiPerFAST IGBT transistor. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Td(av): 95 ns. Td(på): 18 ns. Trr-diod (Min.): 35ns. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:59

Teknisk dokumentation (PDF)
IXGR60N60C2
28 parametrar
Ic(T=100°C)
48A
Hölje
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Hölje (enligt datablad)
ISOPLUS247
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
3900pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
C2-Class High Speed IGBT
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
5V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
300A
Kanaltyp
N
Kollektorström
75A
Kostnad)
280pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.7V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.3V
Obs
HiPerFAST IGBT transistor
Pd (effektförlust, max)
250W
RoHS
ja
Spec info
ICM TC=25°C, 1ms 300A
Td(av)
95 ns
Td(på)
18 ns
Trr-diod (Min.)
35ns
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS