N-kanals transistor IXGR48N60C3D1, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-kanals transistor IXGR48N60C3D1, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
215.66kr
5-14
199.87kr
15-29
188.43kr
30-59
178.47kr
60+
167.87kr
Antal i lager: 17

N-kanals transistor IXGR48N60C3D1, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1960pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: High Speed ​​​​PT IGBT för 40-100kHz switching. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 230A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 56A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 220pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Elektriskt isolerad baksida. Td(av): 92 ns. Td(på): 19 ns. Trr-diod (Min.): 25 ns. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:59

Teknisk dokumentation (PDF)
IXGR48N60C3D1
27 parametrar
Ic(T=100°C)
27A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
1960pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
High Speed ​​​​PT IGBT för 40-100kHz switching
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
230A
Kanaltyp
N
Kollektorström
56A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
220pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.3V
Pd (effektförlust, max)
125W
RoHS
ja
Spec info
Elektriskt isolerad baksida
Td(av)
92 ns
Td(på)
19 ns
Trr-diod (Min.)
25 ns
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS