N-kanals transistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2700pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Germanium diod: -. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kollektorström: 60A. Kostnad): 270pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Td(av): 100 ns. Td(på): 25 ns. Trr-diod (Min.): 120ns. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:59