N-kanals transistor IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AD ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1500pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: HiPerFAST IGBT with Diode. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 80A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 48A. Kostnad): 170pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Obs: HiPerFAST IGBT transistor. Pd (effektförlust, max): 150W. Td(av): 75 ns. Td(på): 15 ns. Trr-diod (Min.): 130 ns. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 19:59