N-kanals transistor IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

N-kanals transistor IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
335.45kr
5-9
313.56kr
10-19
296.01kr
20-29
281.86kr
30+
260.56kr
Antal i lager: 10

N-kanals transistor IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 1.5mA. Resistans Rds På: 13m Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Spänning Vds(max): 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 7000pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 380A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 2250pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFR180N15P
34 parametrar
ID (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
100A
Idss (max)
1.5mA
Resistans Rds På
13m Ohms
Hölje
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Hölje (enligt datablad)
ISOPLUS247
Spänning Vds(max)
150V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
7000pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Elektriskt isolerad baksida
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
380A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
2250pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Obs
isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut
Pd (effektförlust, max)
300W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(av)
150 ns
Td(på)
30 ns
Teknik
Polar HiPerFet Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
200 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS