N-kanals transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

N-kanals transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
188.57kr
5-9
167.84kr
10-14
155.21kr
15-29
147.08kr
30+
135.68kr
Antal i lager: 9

N-kanals transistor IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. ID (T=25°C): 105A. Idss (max): 2uA. Resistans Rds På: 17m Ohms. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 9100pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Elektriskt isolerad baksida. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 480A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 2200pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Obs: isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut. Pd (effektförlust, max): 400W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(av): 110 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Polar HiPerFet Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFR120N20P
33 parametrar
ID (T=25°C)
105A
Idss (max)
2uA
Resistans Rds På
17m Ohms
Hölje
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Hölje (enligt datablad)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
9100pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Elektriskt isolerad baksida
G-S Skydd
nej
IDss (min)
100uA
Id(imp)
480A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
2200pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Obs
isolationsspänning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minut
Pd (effektförlust, max)
400W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(av)
110 ns
Td(på)
40 ns
Teknik
Polar HiPerFet Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
250 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS