N-kanals transistor IXFK34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V

N-kanals transistor IXFK34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
325.73kr
5-24
289.15kr
25-49
274.47kr
50-99
262.17kr
100+
243.23kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 40

N-kanals transistor IXFK34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. Resistans Rds På: 0.24 Ohms. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 7500pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: -. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 136A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 920pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 560W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(av): 100 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFK34N80
30 parametrar
ID (T=25°C)
34A
Idss (max)
2mA
Resistans Rds På
0.24 Ohms
Hölje
TO-264 ( TOP-3L )
Hölje (enligt datablad)
TO-264AA
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
diod
C(tum)
7500pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
100uA
Id(imp)
136A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
920pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
560W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(av)
100 ns
Td(på)
45 ns
Teknik
HiPerFet Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
250 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IXFK34N80