N-kanals transistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V

N-kanals transistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
303.99kr
5-9
289.51kr
10-24
264.61kr
25+
247.49kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager
Ekvivalens tillgänglig

N-kanals transistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 5700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 200uA. Id(imp): 128A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 750pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 360W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(av): 110 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXFH32N50
31 parametrar
ID (T=25°C)
32A
Idss (max)
1mA
Resistans Rds På
0.15 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AD
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
5700pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
200uA
Id(imp)
128A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
750pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
360W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(av)
110 ns
Td(på)
35 ns
Teknik
HiPerFet Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
250 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IXFH32N50