N-kanals transistor IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 4700pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 104A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 580pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 360W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(av): 80 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 18:31