N-kanals transistor IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V

N-kanals transistor IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
113.21kr
5-9
103.82kr
10-24
95.38kr
25-49
88.59kr
50+
79.76kr
Antal i lager: 10

N-kanals transistor IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 0.01 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. C(tum): 6600pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 10uA. Id(imp): 300A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 640pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 360W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 24 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

IXFA130N10T2
30 parametrar
ID (T=25°C)
130A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
0.01 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
TO-263
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
ja
C(tum)
6600pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
10uA
Id(imp)
300A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
640pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
360W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
24 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS