N-kanals transistor IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms
Kvantitet
Enhetspris
1-4
27.07kr
5-9
16.93kr
10-19
15.21kr
20-49
14.21kr
50+
13.43kr
| +425 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 100 |
N-kanals transistor IRLZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 0.022 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 55V. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Avgift: 32nC. Bostadsmotstånd: 1.8K/W. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 41A. Effekt: 83W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Grindspänning: 16V, ±16V. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kontrollera: Logisk nivå. Max dräneringsström: 41A. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. RoHS: nej. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 03:26
IRLZ44NPBF
20 parametrar
Hölje
TO-220AB
Drain-source spänning (Vds)
55V
Resistans Rds På
0.022 Ohms
Avgift
32nC
Bostadsmotstånd
1.8K/W
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
41A
Effekt
83W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Grindspänning
16V, ±16V
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kontrollera
Logisk nivå
Max dräneringsström
41A
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
RoHS
nej
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)