N-kanals transistor IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.36kr
5-24
10.61kr
25-49
9.39kr
50-99
8.52kr
100+
7.29kr
+50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 960

N-kanals transistor IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 16.7nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 2.7K/W. C(tum): 880pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 27A. Effekt: 56W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 16V, ±16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 220pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 68W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(av): 21 ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLZ34N
39 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
30A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.035 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
16.7nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
2.7K/W
C(tum)
880pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
27A
Effekt
56W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Funktion
Grindstyrning med logiknivå
G-S Skydd
nej
Grindspänning
16V, ±16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
220pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
68W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(av)
21 ns
Td(på)
8.9 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
76 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier