N-kanals transistor IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.36kr
5-24
10.65kr
25-49
9.37kr
50-99
8.39kr
100+
7.24kr
Antal i lager: 181

N-kanals transistor IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 480pF. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Kanaltyp: N. Kostnad): 130pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 47W. Port-/källspänning Vgs: 16V. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLZ24N
26 parametrar
ID (T=100°C)
8.5A
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.075 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
480pF
Funktion
Grindstyrning med logiknivå
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Kanaltyp
N
Kostnad)
130pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
47W
Port-/källspänning Vgs
16V
Td(av)
20 ns
Td(på)
7.1 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
60 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier