N-kanals transistor IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-kanals transistor IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
20.93kr
5-49
17.71kr
50-99
15.64kr
100-199
14.05kr
200+
11.98kr
+15 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 394

N-kanals transistor IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 11m Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avgift: 23nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1570pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 60A. Effekt: 110W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Ekvivalenta: IRLR2905ZTRPBF. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±16V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Kostnad): 230pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 110W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(av): 24 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 22ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLR2905Z
39 parametrar
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
43A
ID (T=25°C)
42A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
11m Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avgift
23nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1570pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
60A
Effekt
110W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Ekvivalenta
IRLR2905ZTRPBF
Funktion
Grindstyrning med logiknivå
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±16V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
240A
Kanaltyp
N
Kostnad)
230pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
110W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
16V
RoHS
ja
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(av)
24 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
22ms
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRLR2905Z