N-kanals transistor IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-kanals transistor IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.70kr
5-49
11.60kr
50-99
10.16kr
100-199
9.02kr
200+
7.49kr
+25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 505

N-kanals transistor IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.027 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avgift: 32nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1.8K/W. C(tum): 1700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 42A. Effekt: 110W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 16V, ±16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 160A. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 2000. Kostnad): 400pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 110W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLR2905
41 parametrar
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
30A
ID (T=25°C)
42A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.027 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avgift
32nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
1.8K/W
C(tum)
1700pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
42A
Effekt
110W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Funktion
Ultralågt på-motstånd, snabb växling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
16V, ±16V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
160A
Kanaltyp
N
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
2000
Kostnad)
400pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
110W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
16V
RoHS
ja
Spec info
Grindstyrning med logiknivå
Td(av)
26 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
80 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier