N-kanals transistor IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK
Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.79kr
5-9
10.50kr
10-19
8.86kr
20-49
8.00kr
50+
7.36kr
| Antal i lager: 50 |
N-kanals transistor IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Hölje: TO252AA, DPAK. Avgift: 16.7nC. Bostadsmotstånd: 2.7K/W. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 28A. Effekt: 68W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Grindspänning: 16V, ±16V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 01:54
IRLR2705PBF
14 parametrar
Hölje
TO252AA, DPAK
Avgift
16.7nC
Bostadsmotstånd
2.7K/W
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
28A
Effekt
68W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Grindspänning
16V, ±16V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)