N-kanals transistor IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Hölje: TO252AA, DPAK. Avgift: 16.7nC. Bostadsmotstånd: 2.7K/W. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 28A. Effekt: 68W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Grindspänning: 16V, ±16V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 03:09