N-kanals transistor IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK
Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.36kr
5-9
9.64kr
10-19
8.00kr
20-49
7.14kr
50+
6.52kr
| Antal i lager: 25 |
N-kanals transistor IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Hölje: TO252AA, DPAK. Avgift: 10nC. Bostadsmotstånd: 3.3K/W. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 17A. Effekt: 38W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Grindspänning: 16V, ±16V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 21:08
IRLR024NTRPBF
14 parametrar
Hölje
TO252AA, DPAK
Avgift
10nC
Bostadsmotstånd
3.3K/W
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
17A
Effekt
38W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Grindspänning
16V, ±16V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)