N-kanals transistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V
| +25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 1318 |
N-kanals transistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spänning Vds(max): 20V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 740pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: 20V. Dräneringsström: 4.2A. Effekt: 1.25W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Kostnad): 90pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1uA. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 12V. RoHS: ja. Td(av): 54 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.6V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38