N-kanals transistor IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 1.7A. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Typ av transistor: FET. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38