N-kanals transistor IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

N-kanals transistor IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
17.79kr
5-24
15.17kr
25-49
13.50kr
50-99
12.35kr
100+
10.65kr
+50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 44

N-kanals transistor IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 2.5m Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 36nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 5110pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 30V. Dräneringsström: 150A. Effekt: 140W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Funktion: UPS, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 620A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 960pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 140W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(av): 25 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRLB8743PBF
39 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
100A
ID (T=25°C)
150A
Idss (max)
100uA
Resistans Rds På
2.5m Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
36nC
Avloppsskydd
ja
C(tum)
5110pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
30V
Dräneringsström
150A
Effekt
140W
Egenskaper för halvledare
Logisk nivå
Funktion
UPS, DC/DC-omvandlare
G-S Skydd
nej
Grindspänning
±20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
620A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
960pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
140W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
High Frequency Synchronous
Td(av)
25 ns
Td(på)
23 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
29 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.35V
Vgs(th) min.
1.35V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier