N-kanals transistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 7660pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 740A. Kanaltyp: N. Kostnad): 2150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 21 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38